MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称，小信号MOSFET在模拟电路中主要用于信号放大、阻抗变换，但也可用于开关或斩波。功率MOSFET用作开关和驱动器，工作在开关状态，耐压范围从几十伏到几千伏，工作电流从几安培到几十安培。

功率MOSFET均为增强型MOSFET，具有优良的开关特性。近年来，功率MOSFET在电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描仪等）、消费电子产品、通讯设备、汽车电子和工业控制等领域得到了广泛的应用。

MOSFET大致可分为主要应用于中低压领域的Trench MOSFET、主要应用于高压领域的SGT(ShieldedGate Trench)MOSFET、Flat MOSFET，是一种基于扩散工艺、采用Si材料制成的半导体器件，可以看作是TVS向着小型化、集成化、低电容化发展。它是利用IC扩散工艺和封装工艺制作的小功率器件，专门针对多通道、高速信号线接口的ESD抑制而设计的。由于ESD放电上升沿约为1ns，传统的芯片电压敏感型及聚合物器件响应较慢，导致残压较高，因此IC也具有较高的静电容量；而ESD配电系统等产品电压领域，又有SJ(Superjunction) MOSFET。我公司的MOSFET覆盖30V-200v、600v、650V、700V等常用电压范围，可提供SOP8、PRPAK3x3、PRPAK5x6、TO252、TO263、TO251、TO220、TOLL等封装产品。